简介：介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型，分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论，反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加，阈值电压的波动达到约10％。

简介：Wepresentanovelandsimplemethodtoobtainanultrawidefreespectralrange(FSR)siliconringresonatortogetherwithatuningrangecoveringtheentirespectrumfrom1500to1600nm.AringresonatorwithalargeFSRtogetherwithahighQfactor,hightuningefficiency,andlowfabricationcostandcomplexityisdesiredformanyapplications.Inthispaper,weintroduceanovelwaytomakesucharingresonator,whichtakesadvantageofthewell-knownresonance-splittingphenomenon.ItisasingleringresonatorwithanFSRofmorethan150nmaround1550nmandwhichhasaneasythermo-optictunabilitythatcanproduceatuningrangearound90nmorevenmore.Moreover,thedeviceissimpletoimplementandcanbefabricatedinstandardcomplementarymetal-oxidesemiconductortechnologywithoutrequiringanykindofcomplicatedprocessingorextramaterials.Thepotentialapplicationsincludesinglemodelasercavities,wavelengthdivisionmultiplexingfilters,(de)multiplexers,opticalsensors,andintegratedreflectors.

简介：英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。

简介：摘要目的探讨1 064 nm/755 nm双波长激光脱毛的临床疗效。方法2017年1—12月，吉林大学中日联谊医院皮肤科脱毛患者60例，男7例、女53例，年龄18~52(30±7)岁。用双波长激光器对同一患者的对称部位或2个不同部位分别用1 064 nm或755 nm激光进行脱毛治疗，每6周1次，共6次。治疗结束6周后评估疗效、不良反应、患者满意度。结果1 064 nm和755 nm激光脱毛总有效均为58例，占96.7%，各部位激光脱毛有效率在1 064 nm和755 nm两组比较差异无统计学意义(P>0.05)。1 064 nm激光色素沉着1例，755 nm激光色素沉着2例，两者比较差异无统计学意义(P>0.05)；所有患者均未出现色素减退、水疱及瘢痕。1 064 nm组患者满意57例，占95.0%，755 nm组患者满意59例，占98.3%。结论1 064 nm/755 nm双波长激光脱毛均安全有效。

简介：Duetoitsmajorroleinmaintainingthewater-retainingpropertiesoftheepidermis,ceramideisofgreatcommercialpotentialincosmeticsandpharmaceuticalssuchashairandskincareproducts.However,currentsyntheticapproachesforceramidearetediousandtime-consumingforindustrialapplications.Therefore,itisdesirabletofindanalternativecost-efficientandhighly-yieldmethodforobtainingthevaluableproducts.Inpresentstudy,thepotentialofproducingceramidethroughenzymatichydrolysisofsphingomyelinwithenzymeirradiatedby808nmlighthasbeenstudied.Withenzymeirradiatedby808nmlight,itsactivitycanbeenhancedandreactionspeedcanbeincreasedsignificantly.

简介：关于金刚石的生长机制的讨论从金刚石的人工合成之前就已经开始了，至今仍然是许多学者感兴趣的题目，在过去的几十年中先后提出过几个重要的理论，比较重要的有。

简介：Wereportgenerationofsub-100fspulsestunablefrom1700to2100nmviaRamansolitonself-frequencyshift.Thenonlinearshiftoccursinahighlynonlinearfiber,whichispumpedbyanEr-dopedfiberlaser.Thewholesystemisfullyfiberized,withouttheuseofanyfree-spaceoptics.Thankstoitsexceptionalsimplicity,thesetupcanbeconsideredasanalternativetomode-lockedTm-andHo-dopedfiberlasers.

简介：摘要目的研究和分析比亚芬治疗放射性阴道炎的临床治疗效果。方法本次临床治疗研究主要选取了2013年12月-2014年12月期间，在本院接受治疗的100例放射性阴道炎患者作为临床治疗研究的对象。将100例患者随机分为治疗组50例和对照组50例，治疗组采用比亚芬进行治疗，对照组采用臭氧液进行冲洗治疗，对比两组患者的治疗效果。结果治疗组的患者中，治愈的患者为38例，有效的患者为10例，无效的患者为2例，治疗的总有效率为96%。对照组的患者中，治愈的患者为16例，有效的患者为28例，无效的患者为6例，治疗的总有效率为88%。治疗组的患者治疗总有效率明显高于对照组的患者，两组之间的差异对比具有统计学意义（P＜0.05）。结论比亚芬治疗反射性阴道炎具有较好的临床治疗效果，治愈率较高，患者的康复情况较好，值得在临床治疗中广泛推广和应用。

简介：摘要：介绍了三亚 100%低地板有轨电车动车转向架齿轮箱采用的技术，阐述了齿轮箱的具体结构组成、工作原理及主要部件的技术特性。

简介：Si16Sb84-based线房间阶段变化随机存取记忆(PCRAM)，在哪个Si16Sb84阶段变化线被听电极与nanoscale差距联系，被为重设操作的最低当前、测量的脉搏宽度是的电子横梁平版印刷术制作115μA和18ns，分别地为再结晶的测量最短的脉搏宽度是110ns，与1.5V的应用脉搏振幅。为有不同的线长度的线房间的集合和重设电流是坚定的。106的耐力与上面的电阻比率骑车800被完成了。

简介：做物流，必谈服务，而服务则是对物流作业质量的一种承诺。承诺的表象可以是像人猿泰山那样把胸脯拍得梆梆响，也可以像黑老大那样紧咬着后槽牙并掷地有声．甚至还可以轻描淡写地说“没问题．包在兄弟身上了！”而服务的实质，则是要板眼地做事情。要板眼地做事情，是要花钱的，光花了钱还不够服务还要用心。

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

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简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：阿尔及利亚、尼日尔和尼日利亚三国签署了耗资100亿美元穿越撒哈拉连接尼日利亚和欧洲的天然气管道协议。

简介：<正>《散文海外版》自1993年元旦创刊,至2009年7月,出版已经整整100期了。为了铭记我们这一本纯文学杂志的历史印迹,我们精心选编了这套《百期精华》。所谓"100期100家100篇",即是100期中100位名家的100篇散文力作。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：1965年4月，当时还是仙童公司电子工程师的摩尔在《电子学》杂志上发表文章对半导体产业做出预言——半导体芯片上集成的晶体管数量将每年翻一番。1975年他对此预言做出修正，芯片上集成的晶体管和电阻数量将每两年翻一番。而就在该理论提出时，集成电路才问世6年。而摩尔所在的实验室也只能将50只晶体管和电阻集成在一个芯片上。