简介:利用室温光致荧光谱(PL)研究金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.
简介:TG156.9999020920低碳钢表面Cr—Ni激光合金化的耐蚀性=Corrosionresistanceoflowcarbonsteelsurfacebylaserbeamalloying[刊,中]/俞素芬,于淑敏,孙艳丽(吉林工学院.吉林,长春(130012)),姚远(长春市汽车材料研究所.吉林,长春(130011))∥焊接.—1998,(7).—9-11,25研究了低碳钢表面Cr—Ni激光合金化工艺,并对处理后的合金层组织与性能进行了测试分析。结果表明,Cr—Ni激光合金化可获得一特殊的显微组织形态,它不但具有高的硬度,而且有极强的耐蚀性,由于激光的作用,使低碳钢的基体也产生了一定的强化效果.图4参3(严寒)TG156.9999020921电介质对高温合金激光表面强化的增韧作用=