简介:据华盛顿国际半导体设备与材料协会(SEMI)报道,世界范围内新半导体制造设备2018年预期增加10.8%,增加至627亿美元,超过2017年的历史最高566亿美元记录。CIA一次设备市场破纪录的年份预计将在2019年,预期增长7.7%,增长至676亿美元。SEMI年中预报预计晶片工艺设备将在2018年增长11.7%,增长至508亿美元。其他前端环节,包括晶圆厂设备、晶圆制造以及标记伐9分设备2018年预期将增长12.3%,至28亿美元。组装打包设备2018年预期增长8%,至42亿美元,半导体测试设备今年预期增长3.5%,至49亿美元。
简介:概述了现有非晶合金的种类,并从合金的热力学、动力学和结构3个方面阐述了合金的非晶形成机理,同时全面总结和探讨了表征合金非晶形成能力的各种参数,主要包括Inoue经验规律、△H(熔化焓)、△S(熔化熵)、过冷液体温度区间△Tx(△Tx=Tx-Tg)、约化玻璃转变温度Trg(Trg=Tg/Tm)、粘度(η)、αβ1/3、临界冷却速度(Rc)、非晶晶化开始温度(Tx)与合金开始熔化温度(Tm)之比(Tx/Tm)、合金开始熔化温度(Tm)与玻璃转变温度(Tg)或非晶晶化开始温度(Tx)之差△Tm(△Tm=Tm-Tg或△Tm=Tm—Tx)、电子浓度e/a、原子尺寸、重力等。