简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。
简介：在适应我国集成电路产业的快速发展,让企业界、投资界、教育界及时、详尽地了解世界和我国集成电路技术和产业的发展进程的科技工作者强烈需要的大背景下,2015年,在多名专家的支持下,由王阳元院士提出了撰写《集成电路产业全书》（《全书》）的动议,在468位撰稿人、125位审稿人的共同努力下,经过三年的不懈努力。
利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件
集成电路发明60年,同频共振新时代——新时期中国集成电路产业发展战略论坛暨《集成电路产业全书》首发式胜利召开
