简介:将自蔓延方法制备的氮化铝粉体加入到有机硅树脂中,制备出导热性能优良的印制电路组件用高导热有机硅灌封材料,并详细介绍了该灌封料的灌封工艺过程。
简介:据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所(KIT)的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,
简介:
简介:<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功
简介:近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学(UNSW)量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.
简介:随着改革开放的不断深入和发展,近几年我国文化艺术领域得到前所未有的迅速发展,文艺演出的表演形式、表演内容越来越丰富;各种规模的艺术中心、歌舞剧院在全国各地兴建;各省、市、自治区电视台在改造老型演播室的同时.纷纷计划筹建大型多功能演播厅,以满足人民群众在精神生活上日益增长的需求。
简介:文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。
简介:<正>2003年1月8日,我国年产1000吨多晶硅国家高新技术产业化示范工程,在四川省乐山市高新技术开发区开工建设。该项目是国家计委批准,由四川省新光硅业科技有限公司建设的国内唯一一条年产1000吨多晶硅的生产线,是西部大开发中目前国家投资最大的高科技项目,该项目总投
简介:随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法,以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后,进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。
简介:本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.
简介:卫星移动服务通过新产品和新业务进入主流据研究机构NSR估计,全球卫星移动服务(MSS)市场将从2005年的180万台在用设备,增长至2012年的670万台设备。L波段设备将主导市场,Ku波段应用将有所降低,C波段应用将相应增长。
简介:台湾PCB成长趋缓载板比重提升硬软板降低;欧明创(Ormecon)的纳米表面处理技术正走向商用;大族激光去年激光设备营收近10亿;精成科技将在华南投资一个新的PCB厂;
简介:成功,往往就在失败之后再坚持一下的努力之中,人们经常在做了90%的工作后,放弃了最后让他们成功的10%。
简介:<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领
印制电路组件用高导热有机硅灌封料的研究
世界首个有机激光集成硅光子芯片诞生
洛阳中硅2000吨级多晶硅示范项目通过验收
硅厂回收硅微粉前景广阔
Strand CD80-A调光硅柜
新开发FinFET整合Ⅲ-Ⅴ族与硅材料
澳大利亚:打造硅量子计算机
潞安集团高纯度多晶硅项目开工
几种常用进口调光硅柜性能比较
厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究
乐山年产千吨多晶硅厂开工
硅通孔互连技术的开发与应用
ULSI硅衬底片清洗技术的分析研究
我国成功实现太阳能冶炼高纯硅
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不放弃就有机会
FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)推动SOI发展