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11 个结果
  • 简介:磷酸酯显示出良好的热稳定性和超常的阻燃性能,作为添加型阻燃剂,其可应用为聚酯、环氧树脂、聚烯烃等领域的塑料助剂,而且日益得到广泛的重视和普遍的应用。本文从合成方法出发,综述了磷酸酯类高分子磷系阻燃剂的近年来研究进展,展望了其发展方向。

  • 标签: 聚磷酸酯 磷系阻燃剂 阻燃性能 聚烯烃 合成方法 聚酯
  • 简介:为了顺应"清洁生产、绿色发展"的趋势,本论文研究了环保型溶剂——丙二醇丁(PNB)在覆铜板(CCL)中的应用,以改善FR-4覆铜板的生产环境。结果表明,丙二醇丁与传统溶剂对固化剂的溶解能力相当,且与环氧树脂有更好的相溶性。

  • 标签: 丙二醇丁醚(PNB) 覆铜板 环保
  • 简介:对航空用间位纶纸蜂窝和对位纶纸蜂窝进行了室温及高温180℃下的压缩性能、剪切性能和平面拉伸性能试验,对比分析了两种纶纸蜂窝在相同试验条件下的性能。研究结果表明:间位纶纸蜂窝的主要力学性能远远低于对位纶纸蜂窝的性能,造成两种蜂窝性能存在较大差异的主要原因是纶纤维分子结构的不同。针对两种蜂窝的性能差异,对蜂窝的拉伸断口形貌进行观察,发现对位纶纸蜂窝与间位纶纸蜂窝的拉伸断口形貌存在较大差异,并结合断口微观形貌分析了造成这些差异的原因。

  • 标签: 芳纶纸蜂窝 芳纶纸 力学性能 微观形貌
  • 简介:在19篇论文的基础上,综述了纶纤维作为覆铜板的增强绝缘材料的优良特点:重量轻、热膨胀系数小、低介电常数、低介质损耗因数、易于CO2激光蚀孔加工等,在高频、高可靠性电子产品中有广阔的应用前景。

  • 标签: 覆铜板 重量轻 低介电常数 高频 电子产品 高可靠性
  • 简介:当前印刷电路板呈现出两大趋势,即应用于较高的工作频率和装配中使用无铅焊,因此对介电材料的要求更苛刻,主要表现在:低介电常数、低介电损耗、高使用温度、低吸水性.热塑性材料——聚苯醚(PPE)的使用被证明能有效地提升热固性材料的性能,如优秀的耐水解性能、低吸水性、极高的玻璃化温度、在较宽的温度和频率范围内杰出的电性能,以及无需卤素阻燃剂就可达到良好的阻燃性能.研究显示,在热固性材料中使用热塑性材料,充分固化后的材料可取得多种的相态,分子交联网络结构呈现出复杂性.据报道,在广泛增强介电材料性能的材料研究中,多官能团聚苯醚低体取得了突破性进展.这种多官能团聚苯醚低体作为大分子单体可和环氧树脂反应并提升其多种性能.

  • 标签: 聚苯醚 多官能团聚苯醚低聚体 环氧树脂 热塑性材料
  • 简介:在采用低温等离子体对纶纤维进行表面处理后,用扫描电镜观察处理前后的纤维表面,测试了纤维的拉伸性能,并用单纤维抽拔法对纶纤维/环氧树脂的界面性能做了定量的表征。实验结果表明:经低温等离子体处理后,纶纤维表面变得粗糙,拉伸强度随处理时间延长而下降,

  • 标签: 芳纶纤维 环氧树脂 并用 界面性能 拉伸强度 表征
  • 简介:采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末,并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2-18GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明:复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。

  • 标签: SIC陶瓷 聚碳硅烷转化SiC 介电性能 热解温度 自由碳 复介电常数
  • 简介:钛及其合金常被用作牙科和骨植入材料。钛表面的仿生涂层可以改善其成骨性能。本文作者开发一种新型的、具有成骨作用的钛合金表面纳米复合涂层,为骨髓间充质干细胞(MSCs)的粘附、增殖和成骨分化提供自然环境。用静电纺丝法制备基于己内脂(PCL)、纳米羟基磷灰石(nHAp)和雷尼酸锶(SrRan)的纳米复合涂层。因此,涂覆在钛合金表面的涂层有4种,分别为PCL、PCL/nHAp、PCL/SrRan和PCL/nHAp/SrRan。采用EDS、FTIR、XRD、XRF、SEM、AFM、体外细胞毒性和血液相容性测试等技术评估涂层的化学性能、形貌和生物学性能。结果表明,纳米复合涂层具有细胞相容性和血液相容性,PCL/HAp/SrRan纳米复合纤维涂层具有最高的细胞活性。MSCs在纳米涂层上的成骨培养显示干细胞向成骨分化,碱性磷酸酶活性和矿化测试结果证实了这一点。研究结果表明,所制备的复合纳米涂层具有促进新骨形成和增强骨-植入体整合的潜力。

  • 标签: 成骨纳米涂层 复合纳米纤维 钛植入体 纳米羟基磷灰石 雷尼酸锶 聚己内酯
  • 简介:基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022(Ni3V)相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏的影响。研究表明:D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面(001)//(002)之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏倾向,在所有的界面处,Ni偏而V贫化,Al在界面(001)//(001)·1/2[100]处贫化在其他界面处偏;同种合金元素在不同界面处的偏和贫化程度不同。

  • 标签: 界面迁移特征 溶质偏聚 位置选择性 微观相场 有序畴界