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  • 简介:本文扼要介绍了光束线真空控制保护系统设计思想、设计要求、系统作用和某些改进。此外,系统在设计了上采用了新技术-可编程序控制器(PLC),使控制系统可靠性和灵活性得到了进一步提高。研制这个系统主要目的是,当光束线上出现(由铍窗或波纹管等偶然破裂引起)灾难性真空事故时,能够有效地保护北京正负电子对撞机中大型超高真空装置-电子储存环真空系统不会遭到这种灾难破坏,使其安全运行。本光束线真空控制保护系统于1996年投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 3W1光束线 真空控制保护系统 储存环
  • 简介:本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置(BSRF)上3W1高功率(总功率为2.54W)扭摆磁铁(Wiggler)光束线(包括前端区、3W1A和3W1B)而设计和建造。主要建造目的是,保护北京正负电子对撞机(BEPC)电子储存环超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生灾难性真空事故破坏,以及保护无水冷却和冷却水意外中断了光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来高功率同步辐射所损坏。此外,在活动水冷挡光罩关闭之前,为了防止快速阀阀板因过热而被损坏,在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠真空控制保护系统,系统设计是以F1-60MR型可编程序控制器(PLC)为基础,PLC负责管理系统状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统设计。

  • 标签: BSRF 扭摆磁铁 设计 同步辐射光束线 真空控制保护系统 可编程序控制器
  • 简介:对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001)衬底上生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜材料,应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直(a⊥)和平行(a||)于表面方向晶格常数与其厚度关系。研究结果表明,随着PZT厚度增加,a⊥增加,而a||减小。这种晶格常数变化,不能用一般薄膜弹性畸变来解释,我们归结为晶体尺寸效应起了很大作用。X射线衍射测量结果表明,随着PZT厚度增加,其晶粒尺寸也增加。

  • 标签: PZT薄膜 晶格常数 厚度 铁电薄膜 X射线衍射
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:利用溶胶法制备出不同粒度聚乙烯醇(PVA)包覆下硫化亚铁(FeS)纳米颗粒,探讨反应物浓度对产物影响。对FeS进行了物性表征,同时进行了高压衍射相变研究。

  • 标签: FeS纳米颗粒 制备 表征 溶胶法 聚乙烯醇 包覆
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在两种不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力释放导致享晶和其它缺陷形成。由于缺陷形成在缺陷附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比偏离和杂质非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上孪晶。本文中讨论了上面提到孪晶模型实验证据和如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷
  • 简介:软X射线监测系统建立,结构特点和性能,有效地解决了气体吸收和窗膜透过率等因素影响。申请获得了美国布鲁克海文国家实验室(BNL)用光时间,对监测系统性能进行研究,并给出了该系统精度及与国际标准比对结果。

  • 标签: 软X射线 软X射线监测系统 国际标准 电离室 光强度 测量
  • 简介:采用微乳液法制备了表面包覆表面活性剂AOT氢氧化镍纳米微粒,退火后得到纳米尺寸氧化镍颗粒。用EXAFS方法对获得氢氧化镍和氧化镍纳米颗粒进行了研究,得到了EXAFS结构参数,并分别与体相材料进行了比较。结果表明与体相材料相比,纳米材料配位结构表现出不同特性。

  • 标签: 表面活性剂 EXAFS 纳米氢氧化镍 纳米氧化镍 微乳液法 化学修饰
  • 简介:低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明,Ge与Si再Ge/Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构:这种组分结构可以用一平均成份SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理粗糙度。旋转样品进行X射线散射研究表明,这种SiGe混合是各向同性,这与透射电子显微镜研究结构相一致。

  • 标签: Ge/Si超晶格 界面结构 X射线 粗糙度 纳米结构 光电特性
  • 简介:本文通过比较两个不同晶体生长历史温梯法Al2O3晶体,通过同步辐射衍射形貌相研究了晶体内部完整性,在正常晶体生长条件下Al2O3晶体FWHM仅为10弧秒,而在正常晶体生长受到间停电破坏时,Al2O3晶体内易出现亚晶粒等缺陷。其内在原因与温梯法晶体生长工艺有关系。

  • 标签: 亚晶粒结构 同步辐射 Al2O3晶体 FWHM 衍射形貌相 X射线衍射
  • 简介:古陶瓷元素谱分析是古陶瓷研究中一项重要内容,它对古陶瓷产地鉴定及真伪鉴别起看十分重要作用。我们选用江西丰城洪州窑从东汉晚期直到晚唐五代8个考古文化期共32个古瓷碎片,用SRXRF对其胎进行了多点分析和线状区域扫描分析,并对釉面进行了区域扫描分析。初步确定了洪州窑古瓷化学组成产地特征为:胎釉中Fe,Tt等着色元素含量较高,釉中钙高钾低,属高钙釉。

  • 标签: 江西 洪州窑古瓷 古陶瓷 元素谱 产地特征 SRXRF
  • 简介:在Al2O3(0001)衬底上用MOCDVD方法进行了GaN外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)匹配关系。结果表明,经充分氮化衬底上,GaN以单一匹配方式沿[0001]方向生长:在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)几种匹配方式晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)晶格失配、释放界面应变重要机制之一。

  • 标签: 匹配机制 氮化 GAN MOCVD 晶格匹配 氧化铝衬底
  • 简介:采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置,对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27.1-29.5GPa压力范围内出现了两条衍射峰,对该实验现象进行了讨论。

  • 标签: 纳米硅化铁 同步辐射 X射线研究
  • 简介:作为BSRF改进项目的重要内容之一,为高压科学研究专用4W2光束线和实验站屏蔽棚屋(HUTCH)已完成设计和建造,于2002年冬季投入使用。高压站也由3WlA光束线移至4W2,对实验设备进行了重新组装和调整,并对用户提供了部分机时。在科学院知识创新重要方向性项目的支持下,同步辐射高温高压实验平台建设正在进行,已完成了部分设备研制与安装。新光束线和实验站将在光源质量和设备性能上有一个很大提高,为获得高质量高压实验数据提供保障。

  • 标签: BSRF 实验站 光束线 高压站 数据