简介：

简介：将四新戊氧基酞菁锌的甲苯溶液旋涂成膜，经光学显微镜观察，薄膜表面光滑连续，小角度X射线衍射谱图中有规律的Keissig干涉峰说明膜厚均匀，红外反向光谱显示，未加热的薄膜中的分子排列无序，于150℃退火后，分子发生了共面聚集以接近垂直的角度直立在基片表面上，X射线衍射实验进一步证实了薄膜结构的有序性，并测定出了1．74A的晶面间距。

简介：本文介绍了用同步辐射微束X射线荧光法对单个藻细胞的研究方法，在北京同步辐射荧光站上首次实现了单细胞水平的测量。报道了单个藻细胞摄取金属离子前后细胞内元素含量的变化。

简介：本文扼要介绍了光束线真空控制保护系统的设计思想、设计要求、系统的作用和某些改进。此外，系统在设计了上采用了新技术－可编程序控制器（PLC），使控制系统的可靠性和灵活性得到了进一步的提高。研制这个系统的主要目的是，当光束线上出现（由铍窗或波纹管等偶然破裂引起的）灾难性真空事故时，能够有效地保护北京正负电子对撞机中的大型超高真空装置－电子储存环的真空系统不会遭到这种灾难的破坏，使其安全运行。本光束线的真空控制保护系统于1996年投入试运行，于1998年年底通过院级鉴定和验收。

简介：本文向用户扼要介绍了光束线3W1A及其实验站的辐射安全联锁系统的设计目的、设计思想、系统的功能作用和操作规则。本系统于1996年9月投入试运行，于1998年年底通过院级鉴定和验收。

简介：利用同步辐射X光衍射技术，对（La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4）中存在的Jahn-Teller畸变，进行了原位的高压研究。实验表明在外加压力的作用下，能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角的变化，样品中的晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在的两种不同的畸变模式Q2和Q3，在外加压力的作用下的变化规律进行了讨论。由于这两种不同的畸变模式在受到外力作用时，表现形为不一样，导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失，并且导致Q2畸变模式消失的压力点随掺杂浓度的增加而增加。

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简介：初步测量了弯曲导管束对“水窗”波段及其附近X光的响应，结果表明X光在“水窗”段的响应，比其之外的响应要高。

简介：

简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

简介：采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置，对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27．1－29．5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰，对该实验现象进行了讨论。

简介：采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（LBO）晶体的生长缺陷，实验结果表明，LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。

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简介：考察了锆助剂含量对钴基催化剂的结构及费－托合成反应性能的影响。结果表明，随着锆含量的增加，甲烷的生成受到抑制，重质烃选择性提高，重质烃合成的操作温度区间加宽，且催化剂仍保持较高的活性。TPR，H2－TPD，XRD及EXAFS等表征结果表明，锆助剂单层分散与硅胶表面，而钴以一定尺寸的聚集态存在；随着锆含量的增加，锆覆盖的硅胶表面增加，裸露的硅胶表面减小，而钴的分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大，钴硅界面减小，有利于重质烃的生成。另外，H2－TPD结果还表明，催化剂存在有从钴到锆硅载体的氢溢流。

简介：用微乳液法制备了表面经硬脂酸（ST）修饰的4种不同价态的钴氧化合物纳米微粒。初步摸索了合成的最佳条件，利用XRD，TEM，IR等测试手段对制备的钴纳米催化剂的物相、粒子的形貌和粒度及钴氧化物纳米微粒与表面活性剂有机基团间的结合方式进行了表征，结果表明制得的纳米微粒呈球状、粒度随热处理温度升高而增大，COO－与Co(Ⅱ，Ⅲ）离子间以化学键相结合。利用流动法固定床反应器研究了钴氧化物纳米催化剂对N2O的催化分解活性，实验结果表明，在350℃焙烧制得的Co2O3纳米粒子对N2O的催化分解有较好的催化活性。

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简介：新型硅P-N结光电超二极管对光于能量响应范围已达到了X射线范围。它具有线性范围大，能量响应范围宽，量子效率高等优点，因而适用X射线之探测。本文介绍了以光电二板管构成同步辐射XAFS探测器替代传统的电离室探测器组合的研究工作，给出了的探测器结构设计，工作原理，实验结果及讨论。

简介：首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫，在最经济的烟气脱硫温度窗口（120－250℃）显示出高的脱硫活性，考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响，并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明：经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧，前驱体Cu(NO3）2未完全分解：高于250℃煅烧，活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶，从而发生烧结，聚集，以上均导致脱硫剂活性的下降，尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异，但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在，其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

简介：采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术，在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究，压力范围分别为42．9GPa和23．0GPa，实验结果表明，在16．3GPaTiO2发生了一次结构相变，由原来的锐钛矿结构变为α－PbO2结构（TiO2-Ⅱ），该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较，由于晶粒尺寸的效应，纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。