简介：高压电瓷的发展与电力工业同步，而屈从于陶瓷材料制造技术的进步。近年来我国先进陶瓷有长足的发展，尤其是氧化铝陶瓷的工艺技术和产品质量已达到国际先进水平，在国际上具有很强的竞争力。

简介：在废旧塑料摩擦电选过程中,荷电器的荷电效率对分选效果至关重要。对旋风荷电器中塑料颗粒摩擦荷电机理进行研究。在该机理下,理论分析推导得出,塑料颗粒荷电量Q与摩擦力做功功率Wt之间满足Q∝K·Wt·T,K是功电转换系数,T表示荷电时间;塑料颗粒碰撞模型表明摩擦力做功功率Wt与摩擦系数μ,碰撞角β,碰撞截面半径R2,碰撞频率nt的3次方相关;由此得出,对同种塑料颗粒而言Q∝n3t·T。选取ABS、PS两种塑料颗粒,采用高速摄影和荷电实验的方式验证了Q∝n3t·T的正确性。理论推导和实验结果吻合,说明所提出的摩擦荷电机理可以用来描述旋风荷电器中塑料颗粒的摩擦带电现象。该机理表明要提高旋风荷电器的荷电效率,可以选用摩擦系数较大的器壁材料;或者通过适当减小荷电器尺寸,增大风速来提高碰撞频率。

简介：美国物理学协会出版的《物理评论》杂志刊登了德克萨斯大学化学工程系教授卡金的最新成果，他和他的研究团队研制出纳米级压电材料。这种材料可以用在低能耗电子产品中代替电池，将声波变成驱动产品运行的能量。

简介：电对每个人的生活而言是至关重要的,没有电几乎无法生活或者工作,我们也可以通过一些电影来窥视能量对社会发展的重要性,比如钢铁侠3,其携带着一个强大的能量源,可为机械身体进行充电,同时我们还可以看到仿生技术的应用。事实上,未来客机将越来越多地涉及到仿生技术和纳米科技,这一领域的发展与我们的生活息息相关,那些看起来很普通的灌木可能作为能量源使用,为机械提供电力等。

简介：无铅压电陶瓷是当前压电铁电领域的研究重点。本文结合国内外有关无铅压电陶瓷方面的论文和专利，从两个方面综述了无铅压电陶瓷材料的研究进展：一是从掺杂改性的方面；二是从粉体的制备和工艺方面。文章分析和比较了各类无铅压电陶瓷材料的结构和性能，展望了无铅压电陶瓷今后的发展趋势。

简介：一、氧化锌（ZnO）半导体材料作为典型的第3代半导体材料,半导体氧化锌（ZnO）激子结合热能高达60meV,远大于室温下的热能（26meV）。这样,ZnO可以通过激子-激子散射的方式实现受激发射,这种模式比半导体中通常采用的电子-空穴等离子体的受激发射模式的阈值低2个量级以上。因此与Ⅲ族氮化物相比,ZnO其在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显的优势,已经成为目前半导体研究领域中的热点。

简介：压电纳米发电机是一种利用压电效应将机械能转换为电能的器件。在外界机械作用下，压电材料产生的极化电荷和随时间变化的电场可驱动电子在外电路发生流动，进而产生电能。近年来，柔性电子器件在可穿戴、可植入电子器件等方面得到了广泛应用。

简介：用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Cr／SiO2／Si衬底上制备了（100）取向PT过渡层，探讨了制备工艺条件对胛过渡层成膜情况的影响，结果表明，快速热处理工艺制备的PT过渡层结晶较好，而热解时间过长和退火时间过长都会引起铅的损失，造成TiO杂相的出现，从而对PT过渡层的结晶产生不利影响。

简介：美国科学家在极高压下测量纳米材料的结构方面取得重大突破，首次解决了为金纳米晶体结构成像的高能X射线束严重扭曲问题，有望引导科学家们在高压下制造出新的纳米材料，也有助于人们更好地理解行星内部发生的一切。最新技术发表在4月9日出版的《自然·通讯》杂志上。

简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。

简介：近日，中科院大连化学物理研究所理论催化研究组李微雪研究员与美国劳伦斯伯克利国家实验室、韩国汉阳大学的研究人员合作，通过先进光源和理论计算，从谱学上证明了在原位反应条件下Pt（l10）表面上催化氧化一氧化碳的活性相。研究结果以全文的形式发表在《美国化学会志》上。原位反应条件下催化剂的活性相和微观反应机理是多相催化反应研究中的挑战课题之一，代表性的一个课题就是汽车尾气Pt催化剂催化氧化的一氧化碳的活性相和反应机理。早在2004年，李微雪通过密度泛函理论计算，并结合高压隧道扫描电镜，研究了氧化气氛下Pt（110）表面的氧化行为，构造了

简介：新出版的国际《矿物学杂志》公布了国际矿物学会今年新批准矿物，中外科学家合作发现的氮化硼矿物获批准。命名为“青松矿”。

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简介：美国莱斯大学在储能设备微型化研究方面取得新进展，开发出两款微型的充电装置，一种是薄膜式超级电容器，另一种是可充放电的纳米线，有望为将来的微型电子产品和纳米设备提供电源。这两项研究分别发表在近期《自然一纳米技术》网站和《纳米快报》上。

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：中科院近代物理所研制的“320kV高电荷态离子综合研究平台”项目近日通过了专家鉴定．标志着兰州高电荷态离子高压平台技术处于国际领先水平。

简介：根据固体和分子经验电子理论（EET理论），分别计算了静压法和爆炸法合成金刚石过程中石墨和金刚石的价电子结构，获得了超高温高压下石墨和金刚石12组不同组合晶面间的价电子密度，结果表明，采用静压法合成金刚石．石墨／金刚石晶面的电子密度差均大于10％，说明其晶面的价电子结构差异太大，不能诱发石墨向金刚石的直接转变。而采用爆炸法合成金刚石，石墨结构理论键距和实验键距差是0．1073nm，明显大于稳定的价电子结构键距差的最大值（0．005nm），因此，爆炸法条件下，石墨的价电子结构不稳定，主要因为超高温高压下，石墨先分解出亚稳相后再转变成金刚石结构。

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简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.