简介：本文报道了分子束外延（MBE）生长的Be掺杂GaAs,通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品.利用原子力显微镜（AFM）和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征.特别的,在低温和随温度变化的光致发光谱中,随着掺杂浓度的增加与Be受主相关的辐射相应地加强.
简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。
简介：据报道，中国科学技术大学中国科学院量子信息重点实验室孙方稳研究组利用光学超分辨成像技术，突破光学衍射极限，实现对单个自旋态的纳米量级空间分辨率测量和操控，成像精度达4．1nm，为光学衍射极限的1／86，超越2014年诺贝尔化学奖获得者斯特凡·W·赫尔教授等人实现的光学衍射极限1／67的精度。
MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究
Mg／Al掺杂ZnO结构与光学性质第一原理研究
中国科学技术大学光学成像技术迈入“纳米时代”
