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  • 简介:美国制造科学国家中心(NCMS)和国家科学基金会(NSF)发布了题为《2005年美国制造业纳米科技调查报告》。在NSF支持下进行的这项研究对美国制造业已经达到实用水平的纳米科技应用情况进行了详实的调查。

  • 标签: 纳米科技 检测报告 科技工业 NCMS 国家科学基金会 调查报告
  • 简介:据有关媒体报道,英国经济学家信息中心近日发布报告称,由于中国需求仍然强劲,预计今年铜、镍等金属的价格将上涨12%。

  • 标签: 金属价格 英国 预测 信息中心 经济学家
  • 简介:各位领导、各位来宾、各位代表:大家好!今年是我国改革开放的30周年,在30年改革开放取得的辉煌成就和成功经验的基础上,党的"十七大"和第十一届全国人民代表大会又为中华民族的进一步腾飞指明了前进的方向,描绘了建设和谐、文明、富强的中国特色社会主义的宏伟蓝图。恰逢第二十九届奥运会刚刚在北京成功落下帷幕,我国

  • 标签: 功能材料 理事会 材料领域 工作报告 学术交流 学术会议
  • 简介:Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件,作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。

  • 标签: ALN 单晶 化合物半导体材料 质量 开发 日本
  • 简介:美国加州大学伯克利分校和伯克利实验室的研究人员通过打造世界首个全功能性的纳米管装置,成功建造了一个可以给金原子称重的纳机电系统(NEMS)。此成果发表在最新出版的《自然一纳米技术》杂志上。加州大学伯克利分校物理系和伯克利实验室材料科学部的物理学家亚历克斯·泽特尔负责此项研究。

  • 标签: 金原子 质量传感器 称重 美国加州大学 开发 纳机电系统
  • 简介:精密零部件进行真空扩散连接时,主要的扩散工艺参数对材料表面质量会有重要影响。以镜面无氧铜(Cu)为对象,改变保温温度和保温时间分别研究了这些因素对其表面质量的影响。结果表明,若保温时间均为60min,则加热温度越高,其表面晶界越清晰,且粗糙度亦有不同程度增加,而当加热温度达到800℃,其晶粒粗化,部分大晶粒内部出现孪晶和滑移带,表面粗糙度增加了11.2nm。此外,若将加热温度控制为450℃,则保温时间越长,表面粗糙度越大,但当保温时间超过180min后,表面粗糙度的增加量开始减小,然而最终会趋于稳定,为4.0nm左右。

  • 标签: 扩散连接 镜面Cu 表面粗糙度 加热温度 保温时间
  • 简介:在国际国内碳纤维市场竞争日益激烈的环境下,国内潜在的碳纤维应用市场牵引仍然是带动国产碳纤维产业蓬勃发展的源动力。在国内潜在应用市场前景牵引下,国内碳纤维企业如何通过研发与产业技术的提升来提高和稳定碳纤维质量,降低碳纤维生产成本,加快推动国产碳纤维应用研究和市场开发,达到能够替代应用的质量与成本要求,已成为国产碳纤维产业化制备的核心问题。但是,在T300级水平上,我国能够持续、

  • 标签: 质量稳定性 产业技术 碳纤维 提升问题 市场竞争 生产成本
  • 简介:加州理工学院的物理学、应用物理学和生物工程学教授兼该校纳米科学研究所主任迈克尔·L·若克斯及其同事经过十多年努力,开发出仅有百万分之一米大小的纳米电子机械系统(NEMS)谐振器,可实时测定单个分子的质量,有效简化了分子质量测量的程序,并使测量器械微型化。这种2μm长、100nm宽的桥状谐振器具有很高的振动频率,

  • 标签: 分子质量 实时测定 纳米级 测定系统 应用物理学 世界
  • 简介:通过添加适量的添加剂,采用正交试验方法,研究了高氯化铵质量浓度下在Q235钢基体上低温电镀Ni-P合金的工艺参数。实验得出最佳工艺条件为:NiSO4·6H2O40g/L、NaH2PO2·H2O30g/L、H3BO315g/L、NH4Cl32g/L、添加剂T10.12g/L、添加剂T20.03g/L、添加剂T30.1g/L、施镀温度45℃、电流密度0.015A/cm2、pH=4。最佳工艺条件下所获镀层的EDS分析表明,镀层由靠近基体部位到镀层表面部位,P质量分数变化情况为6.61%→7.18%→8.73%。随着离基体距离的增大,镀层显微结构由晶态向微晶转化,最后为完全非晶态。

  • 标签: 电镀 NI-P合金镀层 正交试验 非晶
  • 简介:制备出高质量纳米晶是金属氧化物纳米晶的基础研究和技术运用的首要问题.在有机溶剂中,利用一步法能够合成出较高结晶度的立方相Ga2O3纳米晶,对该样品的微观形貌和光学性能进行了表征.研究表明,利用一步法获得的纳米晶具有单分散性,晶格条纹明显,平均直径为6nm.在光学性能方面,立方相Ga2O3纳米晶在紫外区域有较宽的吸收.此外,通过提高合成温度能够从紫外到蓝光范围内调节荧光光谱.

  • 标签: 立方相Ga2O3纳米晶 高结晶度 荧光 一步法