简介:我们学习分子的氧的绑定到一(5,0)单身者原文如此围了nanotube,借助于密度功能的计算。在SiCNT表面上的地点的硅和碳原子的等边六角形的中心是为O2分子的最稳定的吸附地点,与一个有约束力的精力?38.22eV和1.698的平均SiO有约束力的距离?。我们也与abinitio测试了O2adsorbedSiCNT/CNT的稳定性在房间温度被执行了的分子的动力学模拟。而且,单个围的碳nanotubes上的O2的吸附被调查了。我们的第一原则的计算预言硅碳化物nanotubes的O2吸附的能力比碳nanotubes的好一些。这可能为煤气的察觉和精力存储有潜力。
简介:Thispaperreportsthattheetchingmorphologyofdislocationsin8°off-axis4H-SiCepilayerisobservedbyusingascanningelectronicmicroscope.Itisfoundthatdifferenttypesofdislocationscorrespondwithdifferentdensitiesandbasalplanedislcation(BPD)arrayandthreadingedgedislocation(TED)pileupgroupliealongsomecertaincrystaldirectionsintheepilayer.Itisconcludedthattheelasticenergyofthreadingscrewdislocations(TSDs)ishighestandTEDsislowestamongthesedislocations,sothedensityofTSDsislowerthanTEDs.TheBPDscanconverttoTEDsbutTSDscanonlypropagateintotheepilyerinspiteofthehigherelasticenergythanTEDs.ThereasonoftheformofBPDsarrayinepilayeristhatthebigstepalongthebasalplanecausedbyfacedefectsblockedtheupstreamatoms,andTEDspileupgroupisthatthedislocationsslideisblockedbydislocationgroupsinepilayer.
简介:Wepresentnumericalcalculationoftheimpactofelectron-electroninteractiononthebehaviorofdensityofstatesandopticalpropertiesofBeO,SiCandBoron-Nitridenanotubesandsheets.Hubbardmodelhamiltonianisappliedtodescribethedynamicsofelectronsonthelatticestructureofthesescompounds.TheexcitationspectrumofthesysteminthepresenceoflocalelectronicinteractionshasbeenfoundusingmeanSeldapproach.WefindthebandgapwidthinbothopticalabsorptionanddensityofstatesreduceswithlocalHubbardelectronicinteractionparameter.Theabsorptionspectraexhibitstheremarkablepeaks,mainlyowingtothedivergencebehaviorofdensityofstatesandexcitoniceffects.AlsowecompareopticalabsorptionfrequencybehaviorofBeO,SiCandBoron-Nitridenanotubeswitheachother.FurthermoreweinvestigatetheopticalpropertiesofBeOandSiCsheets.Anovelfeatureofopticalconductivityofthesestructuresisthedecreaseoffrequencygapintheopticalspectrumduetoelectronicinteraction.
简介:与飘移散开(DD)的联合使用模型,试验性的测量参数和小信号的正弦曲线不变的分析,我们为4H-SiC提取Y参数埋葬隧道的金属氧化物半导体域效果晶体管(BCMOSFET)。输出电线走火水流获得G,梅森的不变的U分别地在普通来源的配置f(T)和摆动f(最大)的最大的频率为外推的统一水流获得频率被计算。这里f(T)=800MHz和f(最大)=5GHz为4H-SiCBCMOSFET被提取,当地效果活动性到达它的山峰时,珍视87cm(2)/Vs什么时候V-GS=4.5V。模拟结果清楚地证明4H-SiCBCMOSFET和地效果活动性的典型频率是优异的,由于新奇结构,与常规MOSFET相比。
简介:
简介:从SiCp/Al复合材料性能分析着手,讨论了预置件法、焊接法和粘接法等在空间遥感器研制中常用的联接方法的优缺点,提出了在高体积分数(体分)SiCp/Al复合材料上直接加工螺纹,并加装钢丝螺套的方法来改善螺纹联接性能。对在某高体分SiCp/Al复合材料上加工的M4、M5螺纹进行了拉伸测试,结果表明:加装钢丝螺套前,复合材料螺纹有被拉脱现象;加装钢丝螺套后,M4螺纹、螺杆在3000~4000N被拉断;M5螺纹、螺杆在8000~9000N被拉断,测试后两种规格的螺纹状态良好,可以满足实际应用对该材料拉伸强度的要求,其已应用于工程项目中。
简介:物质的颗粒度大小及分布,直接联系着物质的性能和应用。过去,对常规10-20gm的炸药颗粒度研究较多,而对超细炸药颗粒度研究较少。与常规炸药相比,超细炸药存在许多特殊性,如颗粒间更易团聚不易分散、在溶剂里表现出不同于大颗粒的溶解性等,使测试变得更复杂。以超细TATB、超细BTF、超细HNS、超细RDX和超细HMX为对象,使用LS-230型激光粒度仪,对颗粒度测试过程中涉及的各种测试条件(如分散介质的选择、分散剂选择、超声时间的确定、光学模型设置、运行时间等)进行研究,获得各种超细炸药的最佳测试条件,形成基本完善的测试方法,并将测试结果与扫描电子显微镜及英国马尔文公司的Matersizer2000型激光粒度仪的测试结果进行比较。
简介:在在热退火之上的低精力和高剂量他植入6H-SiC的水泡进化被学习。面向的6H-SiC晶片在房间温度在11017厘米2的剂量与15个keV氦离子被植入。样品与培植以后为30min在1073,1173,1273,和1473K的温度被退火。他在晶片起泡经由代表性的传播被检验电子显微镜学(XTEM)分析。nanoscale水泡在同样植入的样品的损坏的层是几乎同类地分布式的在场的结果,和没有重要变化在退火的1073K以后在他植入样品被观察。在退火的1193K之上,在6H-SiC的He-implantation-inducedamorphization的几乎完整的再结晶被观察。另外,直径他起泡显然增加。与不断地增加温度到1273K和1473K,直径他起泡增加和格子缺点的数字密度减少。生长在退火的高温度接受成熟的Ostwald以后,他起泡机制。吝啬的直径他作为退火的一个函数在120-135nm的深度定位的水泡温度被装入产出1.914+0.236eV的一个激活精力的热激活的进程的术语。
简介:Siliconcarbidefiber/siliconcarbidematrix(SiCf/SiC)compositesareofinterestasafuelcladdingandstructuralmaterialindesignsofadvancednuclearreactorduetotheirsuperiorthermo-mechanicalpropertiesandstabilitiesandlowcross-sectionforneutroncaptureunderthesevereserviceenvironmentincludinghightemperatureandhighenergyneutronbombardment.SiCf/SiCcompositionsconsistsofSiCfiberandSiCmatrixwhichexistinwellover100polymorphsdependentonthevariedstackingofSi-Cclose-packedatomicplanes,2H-SiC,4H-SiC,6H-SiC,3C-SiC,15R-SiC,etc.EnergeticHeatomscanbecreatedandaccumulatedvianuclearreactions.HeatomsagglomerateandcoarsenintoHebubblesandcandeterioratestructuralpropertiesbyinducingcrackandcreep.Inthisexperiment,thedamageofn-type4H-SiCwafers(researchstandard,suppliedbytheCreeResearchInc.)withathicknessof0.38mmimplantedwith100keVHe+toafluenceof31016He+/cm2andpost-implantation-annealedbehavioratdifferenttemperaturewerestudiedusingRamanscatteringspectroscopy.
简介:对制造的单mesa终端4H-SiCPIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiCPIN二极管正向直流特性的影响。详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算。对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好。研究表明,实际制造的4H-SiCPIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应。