简介：基于粒子输运蒙特卡罗模拟程序PHEN,建立了一种用于模拟γ射线入射闪烁晶体全响应过程的耦合输运计算方法。利用此方法对γ射线入射锗酸铋（BGO）晶体的响应过程进行了模拟计算,得到了能量为0.5-10.0MeV的γ射线在BGO晶体上的沉积能量、BGO晶体的相对灵敏度以及1MeVγ射线产生的可见光光子数分布,并将计算结果与用MCNP程序计算的结果及BGO晶体的发射光谱进行了对比分析。结果表明,用两种程序计算的沉积能量的差异小于1%,PHEN程序中经过耦合输运得到的可见光光子数分布与BGO晶体的相对发光特性符合较好,验证了本文方法的合理性和可靠性,为闪烁体探测器参数设计及优化提供了一种有效的数值模拟方法。

简介：针对高功率微波引导磁场的实际情况,根据线性规划算法,设计了一种新颖的分段式高均匀度螺线管。这种螺线管设计以电流密度为变量,以磁场均匀度为约束条件,以磁体总体积为目标函数,利用MATLAB计算可行域内的电流密度值,将可行域的最大值作为线圈电流存在的区域,通过复杂形状的骨架加工及线缆缠绕而制成。通过分析比较常规螺线管和新设计螺线管的电学参数和磁场位形分布,认为在中心磁场强度大小相等和其他因素相同的条件下,新设计的螺线管磁场轴向不均匀度从9.8%降低至0.68%,这种利用线性规划算法设计的分段式螺线管磁体通过改进绕线工艺和机械结构可以实现高均匀度,并具有很强的推广性。

简介：研究了物理实验课中学生禀赋和潜能的开发,营造学生个性发展的氛围、增设探索性实验和综合性实验等措施。

简介：2013年光器件和模块的市场报告数据有喜也有忧。一些市场板块2013年几乎翻番，但是别的板块减少了三分之一。

简介：2013年12月，美国国家仪器有限公司（NationalInstru—ments，简称NI）发布了NICVS-1457RT视觉系统产品。该产品坚固紧凑，

简介：美国LLNL用激光性能运行模型（LPOM）系统来运行NIF的首四路激光：（1）用LPOM提供NIF的实时预测功能；（2）用LPOM确定NIF所有激光发射的系统参数设置：（3）用LPOM使拟议中的激光发射对系统发射对系统产生破坏的可能性减到最小。LPOM已成为NIF首四路激光模块调试的关键工具。目前我国原型装置的运行也需要一套模拟运行演示系统。

简介：

简介：影响干涉条纹可见度的几个主要因素潘留仙，徐勇（湖南益阳师专）（西南交通大学成都）两个或两个以上光波场在空间相遇后是否能产生干涉？干涉程度如何？通常最直观判别的办法就是考察它们相遇后有无干涉条纹和干涉条纹的清晰程度。由于干涉条纹的清晰程度直接反映了光波...

简介：G．马克思教授规定了我今天讲话的题目是“中国的文化、科学和学校”。这次会议是讨论学校教育的，按定义，学校是为传递和延续给一定社会确认的知识和传统而设立的公众单位。不同社会承袭着不同的民族传统，具有不同的文化背景，然而，现代科学已打破国家之间

简介：可见光通信系统中光源的选择及针对选用的光源所采用的几种常用调制方式：开关键控（OOK）、脉冲位置调制（PPM）、差分脉冲位置调制（DPPM）、脉冲间隔调制（PIM）以及双头脉冲间隔调制（DH-PIM）等并对各种调制方式在平均功率消耗、带宽效率和包误码率方面进行了对比。

简介：来自国际光学工程学会（SPIE）的分析显示，全球光电市场的总体规模至少为1500亿美元。该数据来源于SPIE的工业与市场策略家SteveAnderson先生于2014年9月初在纽约光电（NewYorkPhotonics，NYP）年度大会上做的报告。

简介：现代教育要求我们要重视课堂教学的最优化，培养学生的整体素质（发散思维能力、创新能力、解题能力、探究能力等）。因此，我们应针对不同的课堂采取不同的教学方法．笔者在《欧姆定律的应用》一节习题课教学时候遇到的问题及相应解决的办法，今拿出来供大家商榷．

简介：工业激光器市场（包括集成到材料加工系统中的激光器）已经从2008／2009年的全球经济衰退中快速苏复，其中用于打标的光纤激光器和用于微电领域（主要是平板显示器、智能手机和平板电脑）的DPSS激光器起到了领航作用。2010～2012年问工业激光器的收入情况，

简介：以高压下铋丝的电阻测量为例,开发了高压物性测量及压力标定物理实验项目,介绍了高压测量的实验原理和操作步骤,以及数据分析方法,丰富了大学物理设计性实验内容,提高了学生进行创新性思维的能力。

简介：基于第一性原理，计算了MgSiP2的能带结构，结果显示压强减小了能带带隙值，部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大，价带顶电子态密度的斜率逐渐减小，而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论，分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小，提高了p型和.型MgSiP2的电导率，但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下，相对于n型MgSiP2，，型MgSiP2的电导率增加幅度更大，补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低，提高了型MgSiP2的功率因子，使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明，通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能，为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

简介：一种新设计的超颖材料透镜能让其工作频率放大到几乎与紫外光频率相同。美国密歇根理工大学MuhammadI．Aslam和DurduGuney现在所从事的工作是延续他们以前的研究，

简介：

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

简介：在未采取预电离措施的情况下，研究了纯sf6气体及sf6/h29sf6/c2h6两种混合气体激光介质脉冲放电特性。实验结果表明，无预电离时SF68其混合气体介质可以实现自引发体放电，气体介质体放电维持电压主要由SF,;含量决定，C2H6具有抑制电弧的作用，可以有效延长体放电维持时间。分析认为，sf66体高折合场强E/P导致的放电通道电流密度受限和高电负度■引起的放电通道中负离子分解产生二次电子，是介质实现自引发体放电的重要机理。

简介：当手机的功能越来越多，手机了越来越不像手机的——厚物手机可以当板砖使，用来防身；亮的手机晚上可以创造性的地加以利用，表达的的爱意；录像手机还能被《手机》里的武月拿来搜集证据。