简介：各地中考试题经常会出现一些电学“陷阱题”，这类题目考查的知识难度虽不大，但由于题目提供的信息中往往暗藏“陷阱”，如果我们基础知识掌握不牢或粗心大意，便会误入这些“陷阱”，造成解题的失误．

简介：取适量金属铀（含95％^235U）封装在石英安焙瓶中，水煮检漏。将封装有^235U的安焙瓶置于铝筒中，氩弧焊焊接，氦质谱检漏仪对铝筒检漏。检漏合格后，在中子注量率为2×10^13cm^-2·s^-1的条件下照射适当的时间，冷却5～7d。将辐照冷却后的^235U经浓硝酸溶解，同时释放出^131I，^85和^133Xe。

简介：介绍了超声传感器等的应用，得出了通过相位比较法测量在不同浓度溶液中的声速并进行研究的一种新方法。同时利用C语言编程进行数据处理，避免了烦琐的计算且误差较小，使结论更合理。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：研究目的：研究方法：重要结论：确定氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟的传质反应动力学区域，建立增强因子模型。研究气液传质测定设备双搅拌釜中氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟的过程，并结合实验研究与理论分析建立了增强因子模型。基于氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟过程的实验研究，确定了氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟的传质反应动力学区域为快速拟一级反应。得到了298K下其二级反应速率常数为1．44m3／（mol·s），并建立了增强因子模型E=68．08CBL1/2，为脱除熏蒸后残留硫酰氟的工业化应用提供了理论依据。

简介：通过不同波长的光源照射葡萄糖水溶液,观察到旋光现象,并测出了不同波长所对应的旋光度,从而计算出它们的旋光率.通过分析测量数据得,在一定温度下葡萄糖溶液旋光率与波长具有对应的函数关系,证实了旋光率与照射光源波长倒数的平方成正比.

简介：数列这一块知识是比较古老的内容，很多数学前辈对它的研究很深，所以以前的高考当中数列既是难点也是热点，甚至是压轴题。现在新课标对这一模块知识的要求在难度上有所降低，但是作为高考的一个重要知识，它在知识的广度上又与许多新的知识点交汇在一起，因此在横向上不断拓展，

简介：研究目的:确定氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟的传质反应动力学区域,建立增强因子模型。研究方法:研究气液传质测定设备双搅拌釜中氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟的过程,并结合实验研究与理论分析建立了增强因子模型。重要结论:基于氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟过程的实验研究,确定了氢氧化钠溶液化学吸收硫酰氟的传质反应动力学区域为快速拟一级反应。得到了298K下其二级反应速率常数为1.44m3/(mol·s),并建立了增强因子模型E=68.08CBL1/2,为脱除熏蒸后残留硫酰氟的工业化应用提供了理论依据。

简介：利用F-2500FLSpectrophotometer荧光分光光度计测定了不同浓度下二苯乙烯三嗪型荧光增白剂（VBL）溶液体系的吸收光谱,分析了吸收光谱特性随荧光增白剂溶液体系浓度的变化规律,得到了吸收谱峰值I.（或吸收谱峰值的对数Log（Imax））及吸收谱起始波长S两组新的反映荧光增白剂溶液体系浓度的敏感参量,并给出了利用该敏感参量进行荧光增白剂溶液体系浓度的检测方法.

简介：根据比色原理设计分光光度计对溶液的浓度进行测量。利用标准溶液确定溶液的吸收系数，进而可以测量出未知溶液的浓度。给出系统框图、光路图及计算机数据采集和计算程序。