简介:摘要:本文在原有硅铁钙镁铝连测的方法上做了一些改进,使铝的测定结果更准确。在测定铁时,原有方法为高锰酸钾容量法,使用的化学试剂(如氯化高汞)毒性大,对环境危害也大。经方法改进,试剂危害性降低,同时也保证了结果的准确。
简介:摘要:采用电感耦合等离子体发射光谱法测定硅锆合金中铝、锆、钙。以硝酸盐酸混合酸溶解处理试样,氢氟酸除硅,反应完全后,以高氯酸发烟赶尽氟离子,加盐酸溶解盐类。通过选择元素的分析线来优化测试条件,利用基体匹配法消除基体干扰。结果表明,铝、锆、钙元素的测定结果的相对标准偏差为0.40-1.37%,加标回收率99.8%-100.8%。该法能够满足日常分析中对硅锆合金中铝、锆、钙含量测定的需要。
简介:摘要:本文简单介绍后效射孔技术的基本原理,在常规射孔的基础上,利用效粒子在射孔孔道内再次作用,达到增加射孔孔深、清洁孔道、提升储层渗流能力的目的。试验情况及使用对比效果表明,后效射孔比常规射孔平均产液量提升了1-5倍以上,注水井储层增注效果提升1倍以上,特别适用于低孔低渗储层的开发。
简介:摘要:通过对铝/镁/铝三层爆炸复合板进行热处理,Al、Mg元素在结合界面处发生轻微的扩散,导致界面发生了冶金结合。复合材料经过不同状态的热处理后,界面Al、Mg元素发生相应不同程度的扩散。且随温度的升高,元素扩散程度增强。当超过各自固溶度时,生成金属化合物。经过点扫得到金属间化合物分别为:Al3Mg2和Mg17Al12,靠近AZ31B一侧的为Mg17Al12层,靠近6061一侧的Al3Mg2层,且Al3Mg2层的厚度比Mg17Al12层的厚。
简介:摘要:近年来,公司始终牢固树立和贯彻科学发展观,紧紧围绕“做好锡、做大锌、做强铟”的发展战略,旨在建立现代企业集团的工业企业,质检中心已迎着公司发展的春风,勇于创新创新,加快前进的步伐。采矿车间在矿上开采时需要掌握矿石中所含矿物元素的大致分布情况,为采矿提高工作效率。选矿流程中也需要了解矿物元素组成和含量,来判断需加选矿药剂的量,能也最少的试剂选出所需的金属元素。电感耦合等离子体发射光谱仪是一种根据待测元素的受激原子返回基态时所发射的特征谱线来分析待测元素的方法,可以快速分析各种石化产品中常量、微量、痕量元素,智能调节氧流量消除积碳影响,抗干扰性强、自动化程度高、操作简便、稳定可靠、测试范围广、分析速度快、检出限低等特点。它可以同时检测样品中的多个元素。一旦一个样品被激发,样品中的每个元素都发出自己的特征谱线,可以单独检测,同时可以确定多个元素。钙、镁、铝、硅的分析仅需要一次对样品进行分解,便同时测出所需的四种元素的结果,
简介:摘要:通过对目前两种常用催化剂的探讨,选择更适合我们装置运行特性的催化剂,在提高转化率的前提下降低催化剂消耗,同时保证装置长稳优运行。
简介:摘要: CMOS器件是现代微电子发展的重要基础,正是基于 CMOS器件,使得沟道内电流可以得到有效调控,从而使得芯片以及集成电路得以实现,可以说当前计算机信息技术的发展与繁荣, CMOS器件在其中发挥着至关重要的作用。而在其微机械加工环节中,为了使得各项技术参数控制的更加准确,并保证最终器件的质量,需要使用到优越的温度传感器作为判断的依据来源,而对温度传感器中使用到的多晶硅层特性进行研究与分析也是相当有必要的。基于此,本文选择了不同种类的多晶硅层,并借助一定的实验研究其电阻与温度之间的关系,从而得出材料的重要物理参数如基准温度电阻、电阻温度系数等等,这些参数也是确定温度传感器使用范围的重要依据,根据此可以得出在怎样的临界温度下工作。基于上述实验,得到更加适合 CMOS微机械加工温度传感器的多晶硅层,以供相关人士参考。