简介:摘要:采用化学浴沉积法在以硫酸锌(ZnSO4·7H2O)和自制的硒代硫酸钠(NaSeSO3)作为Zn2+源和Se2-源的化学溶液体系中制备了ZnSe纳米晶薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和分光光度计等测试方法,研究了不同的Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶薄膜的表面形貌、晶体结构、光学透过率和禁带宽度等物理和光学特性的影响。结果表明,反应液中Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶颗粒尺寸及致密性影响较大,当nZn/nSe=1:4时制备的ZnSe薄膜有较好的致密性和均匀性。不同Zn/Se物质的量比条件下均制备出(111)取向的立方晶型ZnSe纳米晶薄膜,光学禁带宽度为3.05-3.13eV。当nZn/nSe≤1:4时制备的ZnSe薄膜在450-800 nm波段透过率达75%以上。
简介:摘要:针对传统粉末压片工艺的不足和热电池微型化小型化的发展需要,将薄膜制备技术引入热电池正极极片制备工艺。热电池电机薄膜化有利于缩小电池体积,提高比能量。本文综述了热电池正极薄膜组件的制备方法及应用现状,该工艺为热电池自动化、规模化生产提供了可能性。
简介:摘 要:本文拟从反应气体流量、射频电源的功率、产品表面温度和产品与喷头之间的距离四个方面单因素探索每个工艺条件对产品钝化膜层质量所产生的影响,从中得出每个因素单方面最适宜生产产品的工艺参数。然后再通过正交实验,设计 4因素 5水平试样,将各个工艺参数的影响综合进行比较,从中得出最适合生产的工艺参数。在 650V高压 VDMOS功率器件的表面制备 4KÅ氮化硅钝化膜的最佳工艺参数组合为:反应气体流量比例为 38:14,射频功率为 350W,硅片表面的温度为 390℃,硅片与喷头的距离为 340mils。经过试验得出结论,供 VDMOS半导体技术工作者参考。