简介:伴随着“不忘初心牢记使命”、“砥砺奋进继往开来”的中国声音,中国共产党第十九次全国代表大会在万众瞩目中于2017年10月18日开幕了,至此,中国正式进入了“十九大时间”。
简介:4.4宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最
简介:为了进一步促进韩中两国贸易往来及经济、文化交流,2004年10月26日至29日在上海新国际博览中心,大韩贸易投资振兴公社与韩国产业资源部将隆重举行“2004韩国综合商品展”。
简介:
简介:65年前,丹麦作为西方国家,率先与新生的中华人民共和国建立外交关系。在过去的65年间,中丹友好关系不断加深,并在2008年确立了全面战略伙伴关系。正值两国同庆之际,中国中央电视台纪录片频道于2015年5月11日、12日晚间黄金时间播出《魅力丹麦》大型纪录片,全面展现丹麦风土人情、回顾中丹65年的合作发展,并以面向未来的视角探究丹麦的绿色、零碳发展理念,以期为中国的可持续发展提供参考和借鉴。节目通过丹佛斯这家丹麦零碳理念的倡导者和标志性企业,向观众直观展示丹麦绿色发展模式及其与中国的渊源。
简介:2008年9月17日全球能效管理专家施耐德电气亚太运营部总裁施瑞修先生来到华南理工大学,为这里的中国学子带来了一堂专业、生动的职业规划演讲。同时,施耐德电气将继续与华南理工大学携手,共同致力于中低压配电和自动化人才的培养。
简介:跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势,已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中,导致了较高的电流密度,在过载和动态负载条件下有十分可观的余量,而且也改善了功率循环能力。
喜迎十九大,续写变频新能新篇章
微波半导体器件及电路的应用概况(续二)
日韩合作又续新篇——2004韩国综合商品展即将举行
来自欧洲的环保报告(续二篇)—世界无卤化PCB基材发展新动向
庆中丹建交65周年,CCTV呈现《魅力丹麦》——丹佛斯绿色能效理念续写中丹友谊新篇章
对话中国学子 引领职业发展——施耐德电气亚太运营部总裁施瑞修于华南理工大学发表职业发展演讲
带有工作温度高达175℃的IGBT、续流二极管和整流二极管的一种新型600V整流-逆变-制动斩波模块