简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：应用基于多普勒频移变化率分析的直接定位法给出了利用单个LOFAR声纳浮标对水下匀速运动目标的定解公式,与已有的必须检测到达航路捷径点的时间和频率的旧方法相比,新方法基本可在除接近航路捷径点外的任意位置上实现实时探测,不仅能近实时的给出水下目标的运动参数,而且还能直接获得目标当前的坐标位置参数,而不再是仅仅得到航路捷径距离,因而具有更好的实际应用价值。

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：市场研究单位YoleDeveloppement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM,Bombardier,Cree,SDK,STMicroelectronics,In-fineonTechnologies,Littelfuse,Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR将进一步提升至40％。

简介：摘要碳素工具钢原料来源易取得，切削加工性良好，热处理后可以得到高硬度和高耐磨性。本文以T10钢为例研究碳素工具钢的性能。T10钢淬透性低，且耐热性差（250℃），在淬火加热时不易过热，仍保持细晶粒,韧性尚可，强度及耐磨性均较T7-T9高些，但热硬性低，淬透性仍然不高，淬火变形大。本文主要围绕T10的四组淬火处理实验及一组对比实验进行金相与硬度的对比。

简介：三星公司的两款即将推出的全新概念打印机——打印机和手机的“合体”，将会给你耳目一新的效果。一款椭圆形概念打印机称为“wave”，三星称之为“最小限度的有机设计”。它可以轻轻松松地将手机上保存的文件，在不连接WIFI或蓝牙的情况下直接打印。另一款概念打印机除了具备常规功能外，还可以在插上手机后，为手机充电并播放音乐。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：爱克发最近发布，位于布鲁塞尔的比利时国内领先报业出版商Rossel决定选用爱克发的计算机直接制版系统和数字印版作为他们的第二代CTP设备。

简介：

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：<正>经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园,目前已签订租赁协议。该项目致力于开拓第三代半导体碳化硅的全球市场,建设碳化硅半导体

简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

简介：<正>东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理JesusPenalver表示,功率电力电子的未来在于碳化硅功率开关转换技术,该技术具有高于传统技术33%的结温,更高的转换开关速度,和极低的转换损耗。G2020系列产品相较前一代产品G9000footprint尺寸缩小17%,比市场同类竞争产品的尺寸最高缩小57%。

简介：爱宝迪公司(ABDick)将在今年的Nonhprint2005展览会上首次展出它的一系列新改良产品．这些产品是专门针对中小型印刷厂的需要而设计得。

简介：基于直接数字频率合成(DDS)的原理,设计实现了四通道的直接数字频率合成器。其内部集成四路DAC,最高工作频率达到500MHz。分析实现相位幅度转换的CORDIC算法原理并进行算法改进,降低了整体电路的功耗。

简介：现年三十九岁的联想集团总裁兼首席执行官杨元庆，两年内，币领联想员工巩固中国电脑市场占有率第一的宝座，他的下一个目标是——挑战IBM、进军IT服务，矢志成为各项信息后端平台的制定者。究竟杨元庆要如何带领联想挑战IBM?

简介：密封电子元器件在长时间存放后,会存在无法检测的现象.当超过密封件细漏检测的最长候检时间时,应再次压氦,然后进行细检漏.按现行的各种规范的规定,压氦法和预充氦法再压氦的条件、程序和判据一般均与首次压氦相同,但分析表明,这样可能会使测量漏率判据出现成倍或更大的偏差,有时会出现大漏的漏检和细漏的错判.推演出多次压氦法和预充氦压氦法的测量漏率判据公式,给出了相应的压氦条件和细检漏的最长候检时间,从而更为便捷准确地解决了长候检时间下的密封性检测问题.

简介：在一个竞争优势并不明显的无常世界里,正确制定策略将成为一种生存锻炼。它是体验式的,有更多的情感参与决策过程。如何调试、做自我心理按摩成为经理人所必须面对的新课题。

简介：在基于正交频分复用（OFDM）的认知无线电系统中,提出了一种旁瓣抑制的星座修整法,动态增大频域符号块中某些星座点的实部或虚部来抑制OFDM信号在目标频段内的旁瓣。将旁瓣抑制的星座修整法建模为二阶约束二阶规划（QCQP）问题,从而获取最优解。仿真结果表明,该方法可以获得良好的旁瓣抑制效果。