简介：环氧塑封料（EpoxyMoldingCompound）是一种半导体封装用电子材料，主要应用于半导体器件和集成电路芯片的封装文章主要是通过对环氧塑封料的发展历程、典型技术和制造工艺，以及国内外发展状况和市场应用等方面的研究，对全球的环氧塑封料的发展状况进行浅析。文章特别提到有关绿色环保塑封料的应用情况。

简介：环氧模塑料（EMC）作为半导体产业的三大基材之一，其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间（GT）和螺旋长度（SF）是环氧模塑料的两个基本性能表征指标，直接决定封装工艺参数选择范围，而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温（Thawing）及模压（Molding）等系列工序的操作及环境温度，对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件（电路）的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：基于终端客户在产品应用面对信赖性及可靠性要求越来越高的情况,开发出一种绿色环保环氧塑封料EMC-GTR,满足高导热及高可靠封装要求,用其封装的器件通过了AEC-Q101-REV-C《基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理》考核。

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简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

简介：近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学（UNSW）量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

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简介：<正>近日,英国曼彻斯特大学物理学与天文学院的安德烈·格伊姆教授和科斯特雅·诺沃塞洛夫博士,在石墨烯基础上开发出一种具有突破性的新材料——石墨烷。他们用纯净的石墨烯和氢制备出了一种具有绝缘性能的二维晶体石墨烯衍生物——石墨烷。该方法也同样适用于制备出其他基于石墨烯的超薄材料,这些新型超薄材料具有不同导电性能。相关研究结果发表在1月30日出版的

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所（KIT）的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,

简介：<正>2003年1月8日,我国年产1000吨多晶硅国家高新技术产业化示范工程,在四川省乐山市高新技术开发区开工建设。该项目是国家计委批准,由四川省新光硅业科技有限公司建设的国内唯一一条年产1000吨多晶硅的生产线,是西部大开发中目前国家投资最大的高科技项目,该项目总投

简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

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简介：<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

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简介：<正>据报道,美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能,并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合,让人们离超低功耗光通信近了一步,让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网站上。该研究团队由哥伦比亚大学的工程师和新加坡微电子研究所的研究人员组成。他们通过放置一个碳原子厚度的石墨烯薄片,成功将不发生光电或电光

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