简介：百利通半导体公司，一家频率、信号调节和连接产品的全球首选供应商近日宣布：公司推出业界第一个量产化的频率介于2MHz-159MHz的“特定应用标准产品石英晶体振荡器（ApplicationSpecificStandardProductCrystalOscillators，ASSP—XO）”产品线。该产品系列通过最佳性能、立即可供货以及提供最经济高效的价格点来满足各种应用需求，为石英晶体振荡器产品提供了新的典范。

简介：设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构（Digitally-ControlledOscillator）,这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronicsCMOS90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz～6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW～3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。

简介：采用可切换的跨导gm技术,基于TSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种超宽带LC压控振荡器VCO。利用两个可交替工作的前后两级晶体管栅极偏置有源核心模块,使得VCO工作在两种不同的模式下。而且,鉴于后级模块中晶体管的栅极偏置,使得后级模块具有较高的跨导,进一步加宽了VCO的振荡频率。最终芯片测试结果表明：该LCVCO在功耗6.2mW的前提下,振荡频率为4.1GHz-6.2GHz,在中心振荡频率5.15GHz下,振荡范围高达40.8%,且相位噪声达到-121.5dBc/Hz@1MHz。该VCO的芯片尺寸为0.56mm×0.58mm。

简介：光子晶体（PC）具有周期性折射率变化，并具有实现新型光器件的极大潜力，正受到广泛关注。本文介绍了PC基本原理与特性，并介绍了表面发射（SE）光子晶体分布反馈（DFB）半导体激光器的结构、最佳化设计、制作工艺和输出特性。

简介：介绍电控晶体偏振控制器（PC）的内部结构，理论分析了电控晶体PC对偏振态的控制作用，设计并进行了实验，并将理论结果与实验所得的轨迹进行对比和分析，得出了电控晶体PC的波片上所加电压与其对光波偏振态的控制的一些关系。

简介：在本文中，一个微环谐振器（MRR）采用双串联谐振环系统提出并探讨拉比振荡。该系统是由绝缘体上硅和连接到总线波导，它是用作传播和振荡介质。散射矩阵的方法来确定输出信号作为二Rabi振荡态之间的输入源，在时间的Rabi振荡频率的增加是在谐振状态下获得的。由于非线性自发辐射过程，激发态的种群概率在光共振态下更高且不稳定。增强的自发辐射可以管理的原子（光子）激发，它可以是有用的原子相关的传感器和单光子源应用。

简介：一种新型微型法布里佩罗特干涉仪（FPI）提出并实验验证了温度传感器。模态干涉仪是由剪接一段制作光子晶体光纤（PCF）与单模光纤（SMF）。PCF的空气孔完全被放电电弧的剪接过程中加强对剪接点的反射系数。测量了不同温度下的透射光谱，实验结果表明，在30°C范围内，得到了80点/°的线性响应。该传感器在温度测量领域具有潜在的应用前景。

简介：

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：本文概述了光子晶体光纤的三个突出的优点：单模传输特性、高非缌№故应和可控群速度色散特性。在此基础上，讨论了光子晶体光纤在多波长光纤激光器，光参量放大器和超连续谱产生中的应用，同时介绍了在各应用领域中的优势。

简介：介绍了光子晶体的能带结构、制备技术和应用方面的最新的发展,光子晶体的光子能隙有完全能隙和不完全能隙的区分.光子晶体的制备技术大体可分为微电子制备技术、自组装技术和层层叠加技术.同时,通过光子晶体一些应用方面的介绍,揭示了光子晶体的广阔的应用前景.

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明：在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。

简介：研究了按照Fibonacci序列排序的一维准周期结构的光子晶体滤波特性,由于这种结构的可调参数多,人们很容易得到在红外波段1550nm附近窄带滤波窗口,透过率可达到近99%以上,而窗口以外的透过率在0.01%以下,当调节周期数、分层厚度、两种介质的折射率及相对折射率这些参数,就会出现多波长滤波器,并设计了一种通道间隔为0.8nm的多通道波分复用滤波器,在光通信中将得到很好的应用.