简介:基于SMIC0.18μm工艺模型设计了一种低电压1.8V下的高增益、低功耗、宽输出摆幅、宽带宽的运算放大器电路。采用增益自举技术的折叠共源共栅结构极大地提高了增益,并采用辅助运放电流缩减技术有效地降低了功耗,且具有开关电容共模反馈(SC-CMFB)电路。在Cadencespectre平台上仿真得到运放具有极高的开环直流增益(111.2dB)和1.8V的宽输出摆幅,单位增益带宽576MHz,相位裕度为58.4°,功耗仅为0.792mW,在1pF的负载时仿真得到0.1%精度的建立时间为4.597ns,0.01%精度的建立时间为4.911ns。
简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。