简介：叙述了含氮金刚石合成的效果，含氮金刚石与普通金刚石及含氮天然金刚石性质间产生差异的原因，讨论了原料与合成工艺对金刚石合成过程及其结果所产生的影响，氮在晶体中的分布特征对金刚石晶体性质的影响机理，并指出了提高人造金刚石品质的方法与途径。

简介：叙述了不同碳源合成金刚石的效果。讨论了碳源材料影响合成金刚石效果的因素。在对多种碳源材料性能测试与分析的基础上，指出了合成金刚石碳源材料的优选原则。

简介：

简介：本文通过实验分析了人造金刚石热稳定性与受热温度的关系，以及晶形及包裹体对热稳定性的影响。

简介：关于金刚石的生长机制的讨论从金刚石的人工合成之前就已经开始了，至今仍然是许多学者感兴趣的题目，在过去的几十年中先后提出过几个重要的理论，比较重要的有。

简介：

简介：本文叙述了用含硼掺杂物石墨碳源材料合成金刚石的效果，讨论了石墨碳源中含硼掺杂物种类及其掺量对金刚石晶体生长性能及其质量的影响，在对含硼掺杂物石墨碳源多种性能进行测试与分析的基础上，指出了选择金刚石碳源的重要性，必要性及原则。

简介：

简介：本文研究了在高温高压条件下金刚石膜的同质外延生长。

简介：通过不同材料的配比合成实验、不同合成工艺的对比分析，总结出一种合成高品级、高性能人造金刚石的工艺方法。

简介：叙述了天然叶蜡石、粉压叶蜡石和氯化钠(NaCI)组合粉压叶蜡石在金刚石合成过程中的作用和效果。讨论了这三种叶蜡石在金刚石合成过程中的影响，在对金刚石合成效果进行分析和讨论的基础上，指出了正确选择使用叶蜡石高压腔容器进行实验和生产的重要性和提高其质量的途径。

简介：

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简介：静压法合成的单晶人造金刚石和人造金刚石微粉，就品种，技术条件，包装，杂质检验，抗压强度测定方法，粒度组成等有关问题，已经建立了国家标准。化学气相沉积法制取的金刚石膜因出现的时间短还未建立起有关标准。化学气相沉积金刚石膜的方法有热丝法，微波法和直流电弧等离子体喷射法三类，本文就直流电弧等离子体喷射化学气相沉积的自支撑人造金刚石膜标准的制定中应考虑到的一些问题提出了我们的看法。

简介：半导体芯片的生产主要依靠化学机械抛光(CMP)工序使硅片表面平坦化，使复杂的集成电路能非常有效地工作。做为电路设计不可避免地趋向于采用高度集成和多层结构。故化学机械抛光技术必须紧跟其需要与发展。化学机械抛光垫性能的关键是采用金刚石化学机械抛光垫修整器工作时，抛光垫工作寿命期间，必须保持恒定的抛光效果。

简介：一种激光化学气相沉积金刚石膜的方法，最低沉积温度为250℃，其特征在于选用波长在308nm的XeCl准分子激光作激光源，过程如下：将欲沉积衬底放在高导热率材料的工作台上，用XeCl准分子激光辐照衬底欲沉积金刚石膜区，并在预抽真空的反应室中通入能吸收该激光波长的碳氢化合物反应气(含汽化液体或固体)和氢气。

简介：一种包括粘结剂的碳化物基质经制备以便在其上接受切削材料如金刚石层。这种基质浸入电解液中，基质用作阳极，从而形成电解抛光的基质表面。然后腐蚀电解抛光的基质表面以基本除去碳化物基质的粘结剂相，