地塞米松对过氧化氢体外氧化杀伤烟曲霉的影响

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摘要 目的研究地塞米松对过氧化氢(H2O2)体外杀伤烟曲霉(Aspergillusfumigatus,A.fumigatus)的影响。方法用不同浓度的地塞米松(0mg/mL,0.02mg/mL,0.2mg/mL)处理烟曲霉孢子,按照处理时间不同分为A(0.5h),B(2h),C(7h),D(16h)4组。用测定H2O2杀伤真菌的标准方法——斑点法分别测定各组烟曲霉孢子对H2O2的氧化杀伤敏感性。结果在H2O2浓度为1.5mmol/L下,未用地塞米松处理的孢子(阴性对照)氧化杀伤敏感性为5×101(生长良好)。A(0.5h)组:地塞米松0.02mg/mL处理后孢子的氧化杀伤敏感性为5×10^3;地塞米松0.2mg/mL处理后孢子的氧化杀伤敏感性为5×10^4。B(2h)组:地塞米松0.02mg/mL和0.2mg/mL处理后孢子的氧化杀伤敏感性均为5×10^3。C(7h)和D(16h)组:不同浓度地塞米松处理后氧化杀伤敏感性与阴性对照没有差别(均为5×10^1)。结论地塞米松使H2O2在体外杀伤烟曲霉的能力增强,这种作用仅发生在地塞米松接触烟曲霉孢子的早期(〈2h)。
机构地区 不详
出处 《中国真菌学杂志》 2009年6期
出版日期 2009年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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