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InAs/InAsSb Avalanche Photodiode （APD） for applicaions in long-wavelength infrared region

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摘要一根长波长的雪崩光电二极管(APD)的一个通用数字模型第一次基于InAs底层上的狭窄的乐队差距半导体InAsSb被报导。这个模型被申请了为在25μm波长区域的可能的申请的建议N+InAS/P-InAsSb雪崩光电二极管结构的理论描述。象有做集中和偏爱电压的变化的获得，过量噪音因素和他们的交易那样的参数为考虑雪崩增加过程的历史依赖者理论的APD被估计了。LWIRAPD被期望在光煤气的传感器中并且在光通讯系统的未来产生发现申请。

DOI 54k2e2k04k/623057

作者 R K. Maurya H. Agarwal A. Singh P. Chakrabarti

机构地区不详

出处《光电子快报：英文版》 2008年5期

关键词长波长紫外线区域雪崩二极管数字模型

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2008年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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