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IGBT功率元件的应用及保护技术

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摘要摘要随着科技水平的不断进步，半导体元件的制造技术以及工艺不断完善，主要的发展方向为功耗小，高电压，大电流，快通断，易保护，技术人员目前已经研发出了功率绝缘栅控双极性晶体管IGBT，功率场效应管MOSFET，双极性晶体管GTR等等，这些元件的应用促进了诸多相关领域的发展，也需要相关人员在实践的过程中不断研究，提高应用的水平。

DOI ojnxqwv1dr/3039285

作者唐军荣

机构地区（珠海格力电器股份有限公司519000）

出处《电力设备》 2018年16期

关键词 IGBT功率元件应用保护技术

分类 [电气工程][电力系统及自动化]

出版日期 2018年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）