首页
期刊导航
期刊检索
论文检索
新闻中心
期刊
期刊
论文
首页
>
《半导体信息》
>
2003年3期
>
在Si衬底上生长高品质GaN膜
在Si衬底上生长高品质GaN膜
打印
分享
在线阅读
下载PDF
导出详情
摘要
<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。
DOI
54k601oyjk/1563733
作者
陈裕权
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2003年3期
关键词
GAN
氮化铪
淀积
BERKELEY
光学质量
工艺参数
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2003年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
相关文献
1
李前进;葛久志;侯想;项艺.
图形化蓝宝石衬底上利用AlN缓冲层生长GaN的研究
.光学工程,2015-04.
2
徐科;田玉莲;等.
GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷
.核技术及应用,1998-01.
3
祝瑞松.
战略思考:校长高品质管理的不竭动力
.教育学,2008-08.
4
蒋最敏;姜晓明;等.
Si(001)衬底自组织生长Ge量子点的组分和应变
.核技术及应用,2000-01.
5
孙再吉.
日本Dowa公司有意开发GaN衬底材料
.物理电子学,2005-06.
6
陈裕权.
Kyma推出非极性和半极性GaN衬底
.物理电子学,2006-04.
7
王格.
帝王洁具上黑榜“高品质”谎言破灭
.国民经济,2011-10.
8
赵秋桐.
育积极生长型教师以助学校高品质发展
.教育学,2024-04.
9
LI Chao;ZHOU Xun;ZOU Ze-ya;DU Jiang-feng;JI Hong;YANG Mo-hua;ZHAO Hong;ZHAO Jin-xia;ZHU Yah-ling;YU Zhi-wei;YU Qi.
Residual Strain and Electronic Characteristics of Si-doped GaN
.物理电子学,2008-02.
10
丁晨.
Si基GaN在5G通信中的应用
.建筑技术科学,2021-04.
来源期刊
半导体信息
2003年3期
相关推荐
在铝极氮化铝衬底上生长氮化镓薄膜的分子动力学模拟
喷施腐植酸钾促进锦橙果实生长提高品质的效果
高品质 高享受
高防盗、高品质
生长激素:揭秘“长高”的秘密
同分类资源
更多
[物理电子学]
确信电子推出领导全球的无铅焊膏ALPHA SACX 0807
[物理电子学]
Feedback Mechanism in Decision Support Systems
[物理电子学]
智能化小区的系统结构
[物理电子学]
Multimode Optical Fiber Displacement Sensor
[物理电子学]
NPN共基极C类脉冲功率晶体管
相关关键词
GAN
氮化铪
淀积
BERKELEY
光学质量
工艺参数
返回顶部