脉冲激光沉积法制备CeO2薄膜的阻变特性研究

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摘要 采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜(ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM)对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.
机构地区 不详
出处 《纳米科技》 2015年3期
出版日期 2015年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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