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硅上异质外延氧化铝的X射线测试分析

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摘要高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。

DOI 7dmn1y3r4n/1407106

作者咎育德;郑文莉;等

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 1997年1期

关键词硅异质外延氧化铝 X射线测试半导体

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 1997年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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北京同步辐射装置年报

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