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《电力电子》
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2004年6期
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摘要
英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元英飞凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)的专家日前已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片,相当于市场上现有产品的8倍。
DOI
lg4qwwo48k/10800
作者
机构地区
不详
出处
《电力电子》
2004年6期
关键词
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2004年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电力电子
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